东京--（商报）--世界领先的存储解决方案提供商Kioxia Corporation今天宣布，该公司为其发明的高密度3D闪存块及其制造工艺（专利号：5016832）而宣布，该技术显著提高了存储容量并降低了生产成本，其技术性能和生产成本均达到了预期目标2020年帝国发明奖。该奖项由日本发明与创新研究所（japaninstituteofinventation and Innovation）组织，展示了闪存在从智能手机到数据中心等应用中数据存储的重要性。国家发明奖颁发给因其卓越而取得或可能取得重大成果的杰出发明、创意或设计。帝国发明奖是该项目最高级别的奖项。获奖者（Kioxia员工，除非另有规定）帝国发明奖：Masaru Kito，高级内存开发中心组经理Hideaki Aochi，内存技术研究与开发研究所高级专家Ryota Katsumata，高级内存开发中心总经理助理Masaru Kido，内存开发策略部首席专家Hiroyasu Tanaka，高级记忆开发中心首席专家北山秋弘（前东芝集团）实施成果奖：Nobuo Hayasaka，总裁兼首席执行官Kioxia的三维闪存技术还获得了教育、文化、体育、科学技术部长奖（教育、文化、体育部，科学和技术）在2019年授予Chubu的发明奖，并获得IEEE 2021年的Andrew s.Grove奖，表彰其对高密度3D闪存的开创性和可持续性贡献。传统的二维flash存储技术将单元排列成二维结构，存储单元（存储数据的最小单元）位于一个平坦的方向。存储单元的微型化增加了单位面积的存储容量，允许更大的容量和更低的生产成本。然而，小型化满足了它的物理极限。Kioxia屡获殊荣的三维闪存技术是一种开创性的方法，它大大简化了高密度三维闪存单元垂直存储的制造过程。传统的堆叠需要重复的分离和构造过程来生产存储单元阵列，这种技术首先堆叠用于存储单元的材料，然后以独特的结构过程同时生成每个单元，这大大减少了处理步骤。具有高容量和高性能的三维闪存是当今市场上的领先技术。三维闪存BiCS-flash商业化后D2015年，Kioxia拥有48层，已转向大规模生产64层和96层，密度特别高。关于Kioxia集团Kioxia是世界领先的存储解决方案提供商，专门从事闪存驱动器和固态驱动器（SSD）的开发、生产和分销。2017年4月，前身东芝内存从1987年发明NAND闪存的东芝公司分离。该公司是创新存储解决方案和服务的先驱，丰富了人们的生活，拓宽了社会的视野。Kioxia创新的3D闪存技术，BiCS flashD设计高内存密度应用程序中数据存储的未来，包括高级智能手机、个人电脑、固态硬盘、汽车和数据中心。原文的出版语言应为官方授权版本。翻译是为了更好的理解。只有在原文中发布的语言版本才有效。将译文与出版物的原始语言版本进行比较。