东京（商业新闻网）--世界存储解决方案领导者Kioxia Corporation今天宣布，他因高密度3D闪存设备和制造方法公司获得了帝国2020年发明观察奖（专利号：5016832），这大大增加了内存容量并降低了制造成本。该奖项由日本创新与创新研究所（Institute of Innovation and Innovation）组织，旨在证明闪存在从智能手机到数据中心等应用程序中数据存储的重要性。国家发明表彰奖表彰已经取得或者预期将取得实质性成果的发明、创意或者特殊设计。帝国发明奖是该计划中最高级别的奖项。保险费（Kioxia员工，除非另有规定）帝国发明奖：Masaru Kito，高级内存开发中心集团经理Hideaki Aochi，内存技术研究与开发研究所高级专家Ryota Katsumata，高级内存开发中心总经理助理Masaru Kido，内存开发策略部首席专家Hiroyasu Tanaka，高级内存开发中心首席专家北山秋弘（原东芝公司）实施成果奖：Nobuo Hayasaka，董事长兼执行董事Kioxia的三维闪存技术也在2019年获得了教育、文化、体育、科学和技术部长奖，在Chubu发明的地方嘉奖中，并获得了IEEE 2021颁发的Andrew S.Grove奖，以表彰其对三维闪存的开创性和持续性贡献高密度。传统的二维闪存技术将单元组织成一个二维结构，其中存储数据的最小单元存储单元被放在一个平坦的方向上。存储单元的小型化增加了单位面积的存储容量，允许更大的容量，同时也降低了生产成本。然而，小型化已接近其物理极限。Kioxia备受推崇的三维闪存技术是一种创新方法，它极大地简化了制造过程，使存储单元垂直堆叠，从而实现高密度3D闪存。传统的堆垛需要重复的沉积和标准化过程来生产存储单元的矩阵，这种技术首先将存储单元的材料堆叠起来，然后使用单个标准化过程使每个单元同时进行，显著减少处理步骤。高容量、高性能的三维闪存是目前市场上领先的技术。交易结束后，BiCS FLASH依什48层闪存，三维闪存2015年，Kioxia继续生产64层和96层超高密度的大规模版本。关于Kioxia GroupKioxia是一家世界领先的内存解决方案，致力于开发、生产和销售闪存和固态单元（固态硬盘、固态硬盘）。2017年4月，其前身东芝存储器被拆分为东芝公司，后者于1987年发明了闪存NAND。公司开创了先进的闪存解决方案和服务，丰富了人们的生活，拓宽了社会的视野。比克闪光依什Kioxia创新的3D闪存技术正在定义高密度应用中存储的未来，包括高级智能手机、个人电脑、固态硬盘、汽车和数据中心。本通知的原文为授权的正式文本。译文仅作为一种翻译提供，应参考原文，而原文是唯一具有法律效力的文本版本。