下载基准硅100V场效应晶体管与100 V eGaN场效应晶体管的性能比较（图形：商业连线）基准硅100V场效应晶体管与100 V eGaN场效应晶体管的性能比较（图形：商业连线）全尺寸小预览缩略图全尺寸小预览缩略图2020年9月22日上午9:00东部夏令时加州EL SEGUNDO，California.--（BUSINESS WIRE）--增强模式硅上氮化镓（eGaN）功率FET和IC的全球领导者EPC，通过引入EPC2218和EPC2204 100 V eGaN FET，提高了性能，同时降低了现成氮化镓晶体管的成本。这些前沿设备的应用包括同步整流、D类音频、信息娱乐系统、DC-DC转换器（硬开关和谐振），以及用于自动汽车、机器人和无人机的激光雷达。与最新的100 V eGaN®FET系列相比，EPC提高了基准性能Weet this与先前的第2代EPULS（第2代）和第2代EPULS（第2代）和第2代爱普赛德（第2代）相比，第2代爱普赛德（第2代）和第2代爱普赛德（第2代）爱普赛德（第2代）和第2代爱普赛德（第2代）爱普赛德（第2代）和第2代爱普赛德（第2代）爱。与基准硅器件相比，它的性能优势甚至更高。EPC2204的导通电阻降低了25%，但尺寸却小了三倍。栅极电荷（QG）不到硅MOSFET基准测试的一半，而且像所有的eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），使失真更低的D类音频放大器，以及更高效的同步整流器和电机驱动EPC的联合创始人兼首席执行官亚历克斯·利多（Alex Lidow）评论道："这些新的100 V eGaN FET具有明显的优越性，人们可能会期望它们的定价更高。然而，EPC已经为这些最先进的100v晶体管定价，与它们的老祖硅功率MOSFET相当。设计者可以利用性能更高、体积更小、热效率更高、成本相当的设备。使用GaN器件的功率MOSFET的位移继续加速。"价格和可用性产品和相关开发和参考设计板的定价见下表。所有产品和电路板均可从Digi-Key？英语=英语零件数量2.5K卷筒价格/单位半桥发展委员会价格板EPC22182.09美元EPC90123型118.75美元EPC2204型0.99美元EPC9097型118.75美元关于EPCEPC是增强型氮化镓功率管理设备的领导者。EPC是第一个引入增强型硅上氮化镓（eGaN）fet作为功率MOSFET的替代品应用于DC-DC转换器、无线功率传输、包络跟踪、RF传输、功率逆变器、遥感技术（Lidar）等领域，D类音频放大器的设备性能是最好的硅功率MOSFET的数倍。EPC还拥有越来越多的基于eGaN的集成电路组合，这些集成电路提供了更大的空间、能源和成本效益。访问我们的网站：网站eGaN是Efficient Power Conversion Corporation，Inc.的注册商标。联络高效功率转换：Renee