东京（商报）--世界存储解决方案的领导者Kioxia公司今天宣布，因其发明的高密度3D闪存设备及其制造方法（专利号：5016832），被授予2020年帝国发明奖，这大大增加了内存容量并降低了制造成本。这个奖项是由日本发明与创新研究所组织的，它展示了闪存在从智能手机到数据中心等应用中数据存储的重要性。国家发明奖表彰表彰已经取得或者预期因其优秀而取得实质性成果的优秀发明、创意或者设计。帝国发明奖是该项目最高级别的奖项。获奖者（Kioxia员工，除非另有说明）帝国发明奖：Masaru Kito，高级内存开发中心组经理Hideaki Aochi，内存技术研究与开发研究所高级专家Ryota Katsumata，高级内存开发中心总经理助理Masaru Kido，内存开发策略部首席专家Hiroyasu Tanaka，高级记忆开发中心首席专家Nitayama秋弘（前东芝公司）实施成果奖：Nobuo Hayasaka，总裁兼首席执行官Kioxia的三维闪存技术还获得了2019年教育、文化、体育、科学和技术部部长级Chubu发明奖的表彰，并获得了2021年IEEE Andrew s.Grove奖，以表彰其在高密度、三维闪存方面的开创性和持续性贡献。传统的二维闪存技术以二维结构排列单元，其中存储单元（用于存储数据的最小单元）位于平面方向。小型化的存储单元增加了单位面积的存储容量，这使得更大的容量以及更低的生产成本。然而，小型化正接近其物理极限。Kioxia屡获殊荣的三维闪存技术是一种突破性的方法，它大大简化了垂直堆叠存储单元的制造过程，以实现高密度3D闪存。然而，传统的堆叠需要重复的沉积和图案化工艺来制造存储单元阵列，该技术首先堆叠用于存储单元的材料，然后使用一次性图案制作过程同时使每个单元同时进行，从而显著地减少了处理步骤。高容量、高性能的三维闪存是目前市场上领先的技术。在商业化48层BiCS FLASH之后™，2015年，Kioxia已经开始批量生产64层和96层超高密度版本。关于Kioxia GroupKioxia是一家世界领先的内存解决方案公司，致力于闪存和固态硬盘（SSD）的开发、生产和销售。2017年4月，其前身东芝内存从1987年发明NAND闪存的东芝公司剥离。公司开创了前沿的存储解决方案和服务，丰富了人们的生活，拓展了社会的视野。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS flash™，正在塑造高密度存储应用的未来，包括高级智能手机、个人电脑、固态硬盘、汽车和数据中心。